FRAM I2C

MB85RC1MT

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产品概述

MB85RC1MT 是一种被称为 FRAM(铁电随机存取存储器)的存储芯片,配置为 131,072 × 8 位,通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工艺技术形成非易失性存储单元。

与 SRAM 不同, MB85RC1MT 无需备用电池即可保持数据。

MB85RC1MT 非易失性存储单元读 / 写的耐久性进一步提升,至少为 1013 (一万亿)次,明显超过 FLASH和 E2PROM。

与 FLASH 或 E2PROM 不同, MB85RC1MT 在写入存储器后无需轮询序列。

特点

• 位配置 :131,072 × 8 位

• 二线串行接口 :通过两个端口实现完全可控:串行时钟 (SCL) 和串行数据 (SDA)。

• 工作频率 :3.4 MHz ( 超高速模式时,最大值 ) 1 MHz ( 快速增强模式,最大值 )

• 读 / 写耐久性 :1013 (十万亿)次 / 字节

• 数据保持 :10 年 ( + 85 °C), 95 年 ( + 55 °C), 200 年以上 ( + 35 °C)

• 工作电源电压 :1.8 V 到 3.6 V

• 低功耗 :工作电流 0.71 mA (3.4 MHz 下的典型值), 1.2 mA (3.4 MHz 下的最大值) 

                 待机电流 15 μA (典型值) 休眠电流 4 μA (典型值)

• 工作环境温度范围:− 40 °C 到 + 85 °C

• 封装 :8 引脚塑料 SOP (FPT-8P-M02) 

             符合 RoHS