FRAM Parallel
MB85R1001A
产品概述
MB85R1001A 无需备用电池即可保持数据,这正是 SRAM 所需的功能。
MB85R1001A 中使用的存储单元可用于 1010 读 / 写操作,这是对闪存和 E2PROM 支持的读写操作次数的重大改进。
MB85R1001A 採用虚拟静态随机存取 (SRAM) 接口。
■ 特点
• 位配置 :131,072 × 8 位
• 读 / 写耐久性 :1010
• 数据保持 :10 年 ( + 55 °C), 55 年 ( + 35 °C)
• 工作电源电压 :3.0 V 到 3.6 V
• 低功耗 :工作电源电流 10 mA (典型值)
待机电流 10 μA (典型值)
• 工作环境温度范围 :− 40 °C 到 + 85 °C
• 封装 :48 引脚塑料 TSOP (FPT-48P-M48)