FRAM I2C

MB85RC128A

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产品概述

MB85RC128A 是一种被称为 FRAM (铁电随机存取存储器)的存储芯片,配置为 16,384 × 8 位,通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工艺技术形成非易失性存储单元。

与 SRAM 不同, MB85RC128A 无需备用电池即可保持数据。

MB85RC128A 非易失性存储单元读 / 写的耐久性进一步提升,至少为 1012(一万亿)次,明显超过 FLASH和 E2PROM。

与 FLASH 或 E2PROM 不同, MB85RC128A 在写入存储器后无需轮询序列。

特点

• 位配置: 16,384 × 8 位

• 二线串行接口 : 通过两个端口实现完全可控:串行时钟 (SCL) 和串行数据 (SDA)。

• 工作频率 : 1 MHz (最大)

• 读 / 写耐久性 : 1012 (一万亿)次 / 字节

• 数据保持: 10 年 ( + 85 °C), 95 年 ( + 55 °C), 200 年以上 ( + 35 °C)

• 工作电源电压 : 2.7 V 到 3.6 V

• 低功耗: 工作电流 250 μA (1 MHz 下的典型值) 

              待机电流 5 μA (典型值)

• 工作环境温度范围: − 40 °C 到 + 85 °C

• 封装 : 8 引脚塑料 SOP (FPT-8P-M02) 

            符合 RoHS