FRAM SPI(for G.U)
MB85RS512T
产品概述
MB85RS512T 采用串行外设接口 (SPI)。
MB85RS512T 与 SRAM 不同，无需备用电池即可保持数据。
MB85RS512T 中使用的存储单元可用于 1013次读/写操作，它的读/写耐久性大大超过FLASH E2PROM。
MB85RS512T 不会像 FLASH 或 E2PROM 那样需要很长的数据写入时间，而且 MB85RS512T 不需要等待时间。
■ 特点
• 位配置 ：65,536 × 8 位
• 串行外围设备接口 ：SPI （串行外设接口）
与 SPI 模式 0 (0, 0) 和模式 3 (1, 1) 通信
• 工作频率 ：1.8V 到 2.7V、 25 MHz （最大值）
2.7V 到 3.6V、 30 MHz （最大值）
但是， FSTRD 命令为 2.7V 到 3.6V、 40 MHz （最大值）
• 高耐久性 ：1013 （十万亿）次 / 字节
• 数据保持 ：10 年 ( + 85 °C), 95 年 ( + 55 °C), 200 年以上 ( + 35 °C)
• 工作电源电压 ：1.8 V 到 3.6 V
• 低功耗 ：工作电流 6 mA （30 MHz 下的典型值）、 10 mA （30 MHz 下的最大值）
待机电流 120 μA （最大值）
休眠电流 10 μA （最大值）
• 工作环境温度范围 ：− 40 °C 到 + 85 °C
• 封装 ：8 引脚塑料 SOP (FPT-8P-M02)
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