FRAM SPI(for G.U)

MB85RS64V

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产品概述

MB85RS64V 是 FRAM (铁电随机存取存储器)芯片,配置为 8,192 × 8 位,通过铁电工艺和硅栅 CMOS工艺技术形成非易失性存储单元。

MB85RS64V 采用串行外设接口 (SPI)。

MB85RS64V 与 SRAM 不同,无需备用电池即可保持数据。

MB85RS64V 中使用的存储单元可用于 1012次读 / 写操作,它的读 / 写耐久性大大超过 FLASH 和 E2PROM。

MB85RS64V 不会像 FLASH 或 E2PROM 那样需要很长的数据写入时间,而且 MB85RS64V 不需要等待时间。

特点

• 位配置 :8,192 × 8 位

• 串行外围设备接口 :SPI (串行外设接口) 

                                  与 SPI 模式 0 (0, 0) 和模式 3 (1, 1) 通信

• 工作频率 :20 MHz (最大)

• 高耐久性 :1012 (一万亿)次 / 字节

• 数据保持 :10 年 ( + 85 °C), 95 年 ( + 55 °C), 200 年以上 ( + 35 °C)

• 工作电源电压 :3.0 V 到 5.5 V

• 低功耗 :工作电流 1.5 mA (20 MHz 下的典型值) 

                 待机电流 10 μA (典型值)

• 工作环境温度范围 :− 40 °C 到 + 85 °C

• 封装 :8 引脚塑料 SOP (FPT-8P-M02) 

             符合 RoHS